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論文

Positron annihilation study on neutron irradiated Si

S.Zhu*; A.Li*; S.Zheng*; H.Huang*; D.Li*; 岩田 忠夫

Chin. J. Nucl. Phys., 14(2), p.166 - 168, 1992/00

シリコンに1.45$$times$$10$$^{20}$$n/cm$$^{2}$$及び3.1$$times$$10$$^{17}$$n/cm$$^{2}$$の中性子照射を行い、陽電子寿命の測定をアニーリング温度(343~1073K)の関数として行った。短寿命成分は、バルク中及び酸素-monovacancy対にトラップされた陽電子の寿命の平均である。長寿命成分はdivacancyあるいはquadrivacancyによるものである。照射量が3.1$$times$$10$$^{17}$$n/cm$$^{2}$$の場合にはquadrivacancyによるものは観測されなかった。

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